- 長鑫存儲近日正式推出其最新的DDR5和LPDDR5X產品系列，標志著國產存儲芯片技術邁上新臺階。據官方介紹，此次發布的DDR5系列產品最高速率達到8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，同時覆蓋服務器、工作站及個人電腦全領域的七大模組產品。此外，LPDDR5X移動端內存的最高速率達到10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，性能和容量均處于業界領先水平。長鑫存儲在存儲芯片領域的技術實力得到了充分體現。此次發布不僅是對自身技術積累的一次集中展示，也表明國產存儲芯片已具備與國際一線廠商競爭的能力。專家指出
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長鑫存儲 DDR5 LPDDR5X
- 記憶體缺貨一路加劇，云端服務（CSP）大廠持續擴大資本支出投入，AI排擠效應日趨嚴重，供應鏈業者透露，三星電子（Samsung Electronics）率先帶頭，10月DDR5 DRAM暫停合約報價，引發其他原廠相繼跟進，這將導致供應鏈面臨「斷糧」，預計將延后至11月中旬，才有望恢復報價。 近期DRAM市場現貨價暴漲，尤其DDR5價格已較上月底呈現「倍數跳增」，業界大嘆，采購成本將呈火箭飆升。三星遲不提供合約報價 三大原廠供貨策略趨嚴2025年10月存儲器現貨價格業界人士指出，盡管內存2025年第4季合約
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三星 DDR5
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）旗下品牌?Crucial??英睿達? 推出DDR5 Pro?超頻 （OC）?6400 CL32?游戲?DRAM，進一步兌現對游戲玩家的承諾。這款新內存專為技術發燒友設計，提供?32GB?套件或?16GB?單條模塊[2]，速度更快、延遲更低，且采用大膽的新設計，使外觀和性能一樣優越。此次發布鞏固了?Cruci
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Crucial 英睿達 DDR5 Pro 美光
- AI帶動存儲器市況快速回溫，內存大廠美光（Micron）日前曾暫停報價，隨著財報公布后，已恢復對外報價，DRAM及NAND Flash雙雙應聲上漲，除了即將停產的DDR4供應稀缺下，漲幅最高超過2成，DDR5也呈現強勁漲勢。 供應鏈指出，近期云端服務（CSP）客戶搶貨積極，帶動服務器相關產品價格明顯反彈，若終端報價調漲一舉成功，上游內存顆粒第4季價格也將順應接受調漲。美光執行副總裁暨業務執行長Sumit Sadana在財報會議后指出，對于2025年會計年度的營運成果感到非常振奮，不僅營收成長了將近50%，
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美光 調漲 DDR5
- DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始，DDR4 持續漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過 160%。甚至，相同內存條件下，DDR4 的價格比 DDR5 更貴，形成了少見的「價格倒掛」現象。業內人士評價：「從來沒見過，即將停產的 DDR 內存芯片在停產時，價格飆得如此之高。」作為與 CPU 直接交互的存儲介質，DDR（雙倍數據速率隨機存儲器）的技術規格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
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DDR4 DDR5
- 根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內一個關鍵的關注點是新的美國關稅是否會被實施——這可能會引發又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補貼驅動的早期需求拉動，618 購物節對 NAND 閃存現貨價格和交易的影響弱于預期。詳情如下：DRAM 現貨價格：現貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產品的供應緊張程度遠比 DDR5
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存儲 DDR4 DDR5 市場分析
- 根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價格：與 DDR4 產品相比，DDR5 產品仍然會出現小幅現貨價格上漲。然而，DDR5 產品的平均現貨價格已經相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
- Bourns 開發了兩款具有納米晶內核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內存系統的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內存技術規格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結構制造，可實現低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
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DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
- 根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現貨價格：與合約市場的情況類似，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現貨價格在整個 2Q25
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內存 DDR4 DDR5
- 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業內對于更大內存帶寬的需求，能適應企業和數據中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產品線，擁有全新的可擴展、可調整的高性能架構。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數據中心領域的多家領先客戶建立合作
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Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 內存IP 云端AI
- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
- 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現營業收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務器平臺產品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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瀾起科技 DDR5 存儲
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節）產品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產品。SK海力士表示：“將此產品應用于服務器系統，相較于現有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數據。該產品有望顯著降低客戶在構建并運營數據中心時所需的總體擁有成本*。”繼96GB產品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產品的驗證流程。該產品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數據中心存儲
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發與部署方面發揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
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瑞薩 DDR5 MRDIMM 內存接口芯片組
- 10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態氮極限超頻技術，創下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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